隨半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)朝更先進(jìn)制程發(fā)展之際，iST 宜特科技材料分析檢測(cè)技術(shù)再突破！iST 宜特經(jīng)過一整年的沖刺，檢測(cè)技術(shù)至今年已突破 10 奈米制程，不僅協(xié)助多間客戶在先進(jìn)制程產(chǎn)品上完成 TEM 分析與驗(yàn)證，其技術(shù)能量更深獲 IEEE 半導(dǎo)體元件故障分析領(lǐng)域權(quán)威組織 IPFA（International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits，積體電路失效分析論壇）肯定，于會(huì)議期間發(fā)表最新研究成果。

　　宜特觀察發(fā)現(xiàn)，近年來，企業(yè)為了打造效能更高、功耗更低、體積更小的半導(dǎo)體元件以滿足現(xiàn)今智慧產(chǎn)品之需求，各大廠在先進(jìn)制程開發(fā)的腳步越來越快，已從去年 20 奈米制程，邁入今年的 14 奈米制程；其中包括臺(tái)積電、英特爾、三星等大廠，更預(yù)計(jì)陸續(xù)于明年進(jìn)入 10 奈米以下的量產(chǎn)階段，因此帶動(dòng)整個(gè)供應(yīng)鏈的 TEM 分析需求。

　　宜特進(jìn)一步指出，繼去年布建業(yè)界 EDS 元素分析能力最強(qiáng)的 TEM 設(shè)備，聘雇多位博士級(jí)的 TEM 專家，如國內(nèi)頂尖 TEM 權(quán)威──鮑忠興博士，經(jīng)過一整年的沖刺，不僅產(chǎn)能大躍進(jìn)，其檢測(cè)分析能量更是從去年 14 奈米，向下突破至 10 奈米制程，更深獲多間客戶如 LED 磊晶廠、半導(dǎo)體設(shè)備廠與晶圓代工廠的肯定，檢測(cè)產(chǎn)能滿載，下半年持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)以因應(yīng)客戶需求。

　　宜特科技材料分析工程部經(jīng)理陳聲宇博士表示，宜特材料分析技術(shù)能量有目共睹，更獲得 IPFA 肯定，于本月舉行的會(huì)議中，發(fā)表“利用高準(zhǔn)確性的 TEM / EDS 技術(shù)分析先進(jìn) NAND flash 產(chǎn)品”之論文。此成果可應(yīng)用于先進(jìn)半導(dǎo)體制程中介電層材料（dielectric layer）的分析之上。

　　▲ 左圖為韓系大廠最新垂直堆疊 Flash 記憶體（V-NAND）的 TEM 影像。右圖為記憶體單元未受損傷的 TEM / EDS 分析結(jié)果。

　　陳聲宇進(jìn)一步指出，先進(jìn)制程的介電層材料，往往脆弱而易在分析過程中遭受損傷，分析難度相當(dāng)高。宜特運(yùn)用業(yè)界最高規(guī)格的 TEM / EDS 機(jī)臺(tái)，并充分優(yōu)化實(shí)驗(yàn)參數(shù)，成功在介電層材料遭受損傷前，迅速完成訊號(hào)的收集，得到準(zhǔn)確的元素分布資訊，提供研發(fā)工程師改善制程時(shí)，最有力的依據(jù)。因此才能在短時(shí)間內(nèi)，成為客戶在研發(fā)階段，提升開發(fā)競(jìng)爭(zhēng)力的最佳夥伴。